Navigation de collection par Sujet MOS-HEMT, GaN, AlGaN, SiO2, Dissipation thermique, Eléments finis
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Date de publication | Titre | Auteur(s) |
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jui-2015 | Etude de l’effet d’auto-échauffement dans le transistor MOS-HEMT | BENMANSOUR, Fatima Zahra; BENOSMAN, Sana |