Benhabib, Houria2022-10-032022-10-032022-06-30https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19122Les transistors à effet de champ à hétérojonction (HEMT high electon mobility) à base des matériaux nitrurés apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications de puissance, hyperfréquence et des télécommunications. Ces transistors intéressent les domaines militaires et civils. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT à base des matériaux binaires-ternaires innovants GaN, AlN, ALGaN sous le logiciel de simulation SILVACO TCAD Tools, afin d’améliorer ses performances fréquentielles. L’utilisation de ces matériaux nous a permis d’avoir de meilleures performances en termes de courant de sortie, tension de seuil, rapport Ion/Ioff, courant de fuite de la grille, fréquence de transition et fréquence maximale d’oscillation et le paramètre d’isolation. Tous les résultats de simulations obtenus pour notre transistor sont simulés dans la bande V dans le but d’appliquer ce transistor comme commutateur à utiliser dans les satellites.frThesis