Benyahkem, YassineBenhadji Serradj, Sidi Mohammed Amdjed2022-10-032022-10-032022-06-21https://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19123La jonction PN constitue l’élément de base de toute l’électronique, et constitue le module élémentaire dont dépend le fonctionnement d’un grand nombre de dispositifs. L’étude des composants à semiconducteurs reste toujours un thème d’actualité et d’intérêt considérable. Un paramètre fondamental dans la conception des dispositifs à semi-conducteur est la capacité de jonction. Notre travail consiste à l’étude paramétrique de la capacité C de la zone de charge d’espace (Z.C.E) de différents types de jonctions PN en régime continu. Comme une application particulière, nous avons étudié l’admittance d’une jonction P+N polarisée en direct sous le régime des faibles signaux.frSemi-conducteur, Jonction PN, Jonction abrupte, Jonction graduelle, Capacité de jonction.Etude paramétrique de la capacité d’une jonction PNThesis