Navigation de collection par Sujet Transistor à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FET), nitrure de gallium (GaN),
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Date de publication | Titre | Auteur(s) |
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2014 | Transistor DHFET à base d’InGaN : Simulation et optimisation de ses performances DC et RF par le logiciel Silvaco | BELARBI, Abdelmalik |