Navigation de collection par Sujet GaAs, AlGaAs, High-k, Al2O3, TiO2 Eléments finis, Silvaco
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| Date de publication | Titre | Auteur(s) |
|---|---|---|
| 13-jui-2017 | Simulation des comportements DC et RF des transistors Al0.2Ga0.8As PHEMT et TiO2 MOS-HEMT pseudomorphiques | TAIBI, Abdennasser; MEZIANE, Nasraddine |